2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料

摘要：

本文采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步.

关键词： GaSb GaAs 分子束外延 超晶格材料

作者: 郝瑞亭 徐应强 周志强 任正伟 牛智川

作者单位: 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 35-37

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）