In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件

摘要：

本文采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为0.90～1.70 μm,量子效率为73％,在零偏压下,暗电流为1.62×10-8 A,动态零压电阻为2.72×105 Ω.单元探测器波段探测率为1.71×1012 cmHz1/2W-1.

关键词： 铟镓砷 金属有机化合物气相沉积 探测器

作者: 缪国庆 张铁民 金亿鑫 蒋红 李志明 宋航

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 20-22

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）