MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究

摘要：

用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为272”,迁移率为64 300 cm2V-1s-1的InSb外延层。

关键词： 分子束外延生长 InSb薄膜 GaAs衬底 缓冲层 材料质量 原子力显微镜 透射电子显微镜

作者: 李占国 刘国军 尤明慧 熊敏 李梅 李林

作者单位: 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年激光技术发展与应用学术交流会

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 424-427

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）