重构表面上Si薄膜生长的模拟研究

摘要：

建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).

关键词： 硅薄膜 薄膜生长 成岛温度 入射率

作者: 王全彪 杨瑞东 王茺 杨宇

作者单位: 云南大学工程技术研究院,昆明,650091;红河学院物理系,蒙自,661100 云南大学工程技术研究院,昆明,650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007高技术新材料产业发展研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 37-38,44

在线出版日期: 2007-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）