超低漏电、超快恢复二极管的仿真研究
本文就结合不同的制造技术,进一步优化器件反向恢复特性,进行了器件仿真,目的是为研制开关速度快、漏电低、开关软的器件提供理论支持.仿真的技术对象是采用低阳极发射效率结构、局域铂掺杂寿命控制技术和电子辐照寿命控制技术制造的快恢复功率二极管.仿真结果表明,对反向恢复时间在100ns 的快恢复二极管而言,局域铂掺杂区(即局域寿命区)位于PN 结附近N 区一侧效果最佳,同时电子辐照剂量也存在一个最佳值.当由电子辐照决定的整体寿命控制在100ns 左右时,可使综合性能达到最佳折中.
功率二极管 快恢复二极管 铂掺杂 电子辐照 反向峰值电流
谢书珊 亢宝位 吴郁 胡冬青
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
国内会议
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2006-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）