”111”方向电场诱导的硅的倍频效应

摘要：

理论上研究了硅晶体在”111”方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3v点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的”111”方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于”1(1)0”面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化.设计了底面为(1(1)0)面的半球形硅样品,为从实验上研究”111”方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案。

关键词： 硅晶体 场致等效二阶极化率 场致倍频吸收 双光子响应 倍频效应

作者: 刘秀环 陈占国 贾刚

作者单位: 吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130012

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年激光技术发展与应用学术交流会

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 114-118

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）