半绝缘GaAs倍频效应的研究
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿”111”方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播.首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的”001”方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收.
半绝缘GaAs 双光子响应 倍频吸收 倍频效应 非线性光学
刘秀环 陈占国 贾刚 时宝
吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130012
国内会议
长春
中文
110-113
2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）