气相输运法制备纳米ZnS低维结构及其发光
研制短波发光器件是近年来光电技术发展的急需.首先是由于计算机存贮用的激光波长越短,读写密度越大.其次若在Si基片上加上发光元件,做成光电集成器件,应用前景无量.低维结构(纳米管、带、线和薄膜等)的宽禁带半导体(如ZnS、ZnO、GaN、SiC等)有可能产生短波发光和激光,近年来对它们的研究已在世界范围形成了热潮.本文论述了用气相输运法在Si片、蒸金的Si片和石英上生长纳米ZnS低维结构(纳米管、带、线和薄膜等),研究了它们的结构、形貌和发光.
气相输运法 纳米材料 发光性质
胡俊涛 郭常新
中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026
国内会议
海口
中文
51-53
2006-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）