共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究
共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性.实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3%.随后测试仪器的测量误差,发现其中1%的相对漂移量由测试仪器造成.
共振隧穿二极管 压阻特性 漂移量
毛海央 张文栋 熊继军 薛晨阳
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室,太原,030051
国内会议
贵阳、沈阳
中文
1189-1191
2006-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)