用于HREM分析的位错结构模型

摘要：

位错是线缺陷。它最基本的特征，除位错线的位置、走向外，就是其柏格斯矢量。本文推荐建立一种用于高分辨电子显微术(HREM)分析的位错结构模型,希望对该问题的解决有所帮助。

关键词： 电子显微术 位错结构模型 线缺陷 柏格斯矢量

作者: 陈一 胡岗 郑国祥 严学俭 吴晓京

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200033

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国电子显微学会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 133-134

在线出版日期: 2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）