在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究

摘要：

有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究,而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道.研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义.本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN(760nm)/GaN(245nm)/AlN(14nm)薄膜中的穿透位错和极性.它们的取向关系为(0001)InN//(0001)GaN//(0001)AlN//(0001)α-AlO3和”11 20”InN//”11 20”GaN//AlN//”1 -100”α-Al2O3。

关键词： InN外延薄膜 穿透位错 极性 分子束外延生长 结晶取向 TEM

作者: 卢朝靖 李金华 段晓峰

作者单位: 湖北大学物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062 中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国电子显微学会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 95-96

在线出版日期: 2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）