LSMO/TO薄膜p-n结微观结构对整流特性影响的研究
钙钛矿结构氧化物(ABO3)包含一系列重要性质,如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应.Jin等人观察到掺杂锰氧化物的电阻率在磁场作用下可下降几个数量级,即庞磁电阻效应(CMR),而掺杂锰氧化物也因此成为科技界的研究热点,有望在磁记录、磁探测、磁传感器等方面得到重要应用.为了开发掺杂锰氧化物材料的应用价值和探索CMR的物理机理,各国学者用掺杂锰氧化物制备了多种p-n结.Yan在研究LaSrMnO3/ZnO薄膜p-n结时发现不同生长顺序使得p-n结I-V曲线不再具有整流特性而显示出线性特征.我们采用磁控溅射方法在硅衬底上分别制备了La0.8 Sr0.2 MnO3/TiOx/Si和TiOx/La0.8 Sr0.2 MnO3/Si多层膜,进行测量得到了类似结果.利用TEM对薄膜微观结构进行研究,分析了界面结构对p-n结电学行为的可能影响。
钙钛矿结构氧化物 锰氧化物 p-n结 整流特性 磁控溅射 TEM
王珂 李彤 韩晓东 张泽
北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100022
国内会议
沈阳
中文
83-84
2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）