六方柱状SiC纳米线的TEM表征
自Iijima发现碳纳米管以来,一维纳米材料(纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带等)由于优异、有趣的性能,引起了人们极大的兴趣,对各种纳米材料的制备、结构、性能的研究已广泛地开展起来.SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力,也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,受到人们密切的关注.已有报道用多种方法合成了SiC纳米线,包括有碳纳米管作为模板的化学反应合成、碳热还原反应、溶胶-凝胶法、金属作为催化剂的化学气相沉积法、电弧放电法、金属作为催化剂热蒸发法等,利用这些方法制备的SiC纳米线形态各异,有准直纳米线、竹节型纳米线、弯曲型纳米线、念珠型纳米线等.但这些形态都是从侧面观测的,而由于纳米线较长,很难将其直立来观看截面的形态。本文探讨 六方柱状SiC纳米线的TEM表征。
SiC纳米线 碳纳米管 六方柱状 TEM表征 增强相
郑坤 韩晓东 张跃飞 刘显强 张泽 郝雅娟 郭向云
北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022 中国科学院山西煤化所,国家煤炭转化重点实验室,山西,太原,030001
国内会议
沈阳
中文
55-56
2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）