弯曲生长SiC纳米线的TEM表征
由于纳米线/管/棒在力学、电学、光学等方面巨大的潜在应用价值,近年来人们投入了越来越多的兴趣来合成和表征各种一维纳米材料.其中立方结构的β-SiC纳米线由于其优越的物理、力学性能(如高的硬度、强度、高的抗氧化和腐蚀性能、低的密度和热膨胀系数和高的热转换能力)受到广泛的关注,此外,β-SiC是一种宽带半导体材料,在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力. 随着纳米科学和技术的发展,一维纳米结构是最有希望作为纳米电子器件重要的基本建筑单元,引起研究人员的广泛重视.综合考虑物理和化学性能,SiC纳米线具有显著的优点.与Si纳米线相比,SiC纳米线有更高的电导率和机械稳定性能使他们可能用于一些条件苛刻的环境中,例如作为扫描隧道显微镜的探针可以探测一些粗糙或腐蚀性的表面,同时可以保证良好的纳米接触,SiC纳米线也具有良好的场发射性能和界面生物相溶性,因此从不同层次和方面揭示SiC纳米线的结构和优良性能是发展SiC基纳米器件的基础。
SiC纳米线 弯曲生长 TEM表征 纳米材料 宽带半导体材料
张跃飞 韩晓东 郑坤 刘显强 张泽 郝雅娟 郭向云
北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022 中国科学院山西煤化所,国家煤炭转化重点实验室,山西,太原,030001
国内会议
沈阳
中文
44-45
2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）