IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

摘要：

本文详细地介绍了地面评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性试验方法,试验系统的软硬件组成及试验系统的研制.利用脉冲激光,重离子,锎源三种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究;时三种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时开展了总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究;最后利用有关计算软件预估了IDT6116芯片空间飞行的单粒子翻转率,计算表明,IDT6116在轨发生单粒子翻转的概率相对较小,IDT6116抗单粒子翻转和锁定的能力较强.

关键词： 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 锎源 翻转截面

作者: 薛玉雄 曹洲 杨世宇 赵又新 郭刚 刘建成

作者单位: 真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000 中国原子能科学研究院,核物理所,北京,102413 兰州工业高等专科学校,兰州,730050

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国宇航学会结构强度与环境工程专委会2006年航天空间环境工程信息网学术研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 45-53

在线出版日期: 2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）