晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析

摘要：

芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性.为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度.对实验现象进行理论分析后得出:与应力波传播方向平行放置的芯片抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的芯片.

关键词： 高冲击 晶振芯片 抗过载能力 失效机理 弹载存储测试 应力波

作者: 李乐 祖静 徐鹏

作者单位: 仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子工程系,太原,030051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国信息获取与处理学术会议

会议地点: 贵阳、沈阳

会议语种:中文

页码: 2589-2590

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）