原子层沉积高k介质膜的新进展

摘要：

本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性.通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因.着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k介质所取得的最新进展.最后,指出还有待解决的问题和未来的发展趋势.

关键词： 原子层沉积 高k介质 层介质膜

作者: 叶位彬 黄光周 朱建明 戴晋福

作者单位: 华南理工大学,电子与信息学院,广东,广州,510640 广东肇庆科润真空设备有限公司,肇庆,526060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届真空冶金与表面工程学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 291-298

在线出版日期: 2007-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）