中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化

摘要：

中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1％,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9％.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.

关键词： 磁控溅射 三氧化二铝 发光薄膜 正交试验 中频反应磁控溅射技术

作者: 廖国进 巴德纯 闻立时 刘斯明 阎绍峰

作者单位: 东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001 东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004 中国科学院金属研究所,表面工程部,辽宁,沈阳,110016 北京航空航天大学,机械与自动化学院,北京,100083 辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届真空冶金与表面工程学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 161-166

在线出版日期: 2007-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）