ZnO纳米线的光致激光和电致近紫外发光
随着纳米表面工程的发展,纳米材料的发光问题成为重要的研究课题.ZnO是一种优良的室温近紫外发光材料,人们用ZnO纳米线阵列构成了光致纳米激光器,激光波长383 nm,线宽仅为0.3 nm,光泵浦阈值是40 kW/cm2.同时,人们希望降低ZnO纳米线的发光激励功率密度阈值,也希望用电来驱动发光.我们通过构建半导体p-n结来降低发光的激励阈值,本文构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的电致近紫外发光二极管.准阵列的ZnO纳米线采用水热法生长于重掺杂p型Si片上,纳米线结晶良好,以c轴为优势取向.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以ITO玻璃紧压形成阴极,它们的I-V特性体现出良好的二极管性质,在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可发射波长在387 nm的近紫外光.
氧化锌 纳米线 近紫外光 电致发光 纳米材料
吴锦雷 孙晖 张琦锋
北京大学电子学系,北京,100871
国内会议
沈阳
中文
103-109
2007-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）