ULSI芯片设计中提高动态电路噪声容限方法的研究
(0) 为了提高芯片的系统性能,动态电路已经广泛地应用于高性能ULSI芯片设计中.然而动态逻辑门不具有与静态逻辑门相当的抗噪能力,在采用深亚微米工艺的ULSI芯片设计中,噪声的影响更加突出,为了保证芯片运行的可靠性,使用动态电路首先要解决的就是动态电路的抗噪声干扰问题.本文在提高动态电路抗噪能力的方法上作了比较全面地研究.首先,对一系列提高动态电路噪声容限的方法做了详细的分析和仿真,然后提出了一种新的提高动态电路抗噪能力的方法.仿真结果表明新的方法在保持动态电路速度不受影响的情况下,可以显著提高动态电路的抗噪能力.
数字集成电路 ULSI动态电路 噪声容限 芯片设计
刘晓强 张伟 黄金明
江南计算技术研究所,江苏无锡,214083
国内会议
南京
中文
162-166
2006-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）