氧化锡超细单晶纳米线的制备和结构表征
近年来,氧化物一维纳米结构的研究成为物理、材料、化学领域的热点课题.氧化物一维纳米结构有着优异的物理和化学性质,同时又易于构建纳米器件以形成工业化生产,因而在激光器件、纳米电子学、纳米光子学以及未来新一代集成电路设计里有广阔的应用前景.在传统领域,氧化锡是一种性能优良的半导体氧化物材料,它具有宽的带隙(3.6eV)、低的电阻率(10-4Ω cm～106Ω cm)以及其他半导体中少见的高透光性,因而是理想的太阳能电池电极和传感器材料.而在最近几年,随着以氧化锡纳米线制备的场效应晶体管、高灵敏度化学传感器、高能锂电池等实验的成功,氧化锡纳米线材料的研究引起了国际上的高度重视.许多简单而有效的物理化学合成方法,如:溶胶-凝胶法、激光沉积法、水热法、微乳液法、表面活性剂修饰法等,已经被应用于氧化锌、氧化铜、氧化铟、氧化锡等纳米一维结构的制备.本文结合水热法和盐熔法的特点,用水热法生成氧化锡的超细纳米颗粒,再以超细纳米颗粒为原料用表面限制剂辅助的盐熔法成功制备了氧化锡超细单晶纳米线,并以电镜为主要测试手段对该纳米结构的特征做了分析.
氧化锡 超细单晶纳米线 结构表征 半导体氧化物材料 水热法 电子显微
周建新 王晓宇 张明生
南京大学物理系,南京大学固体微结构国家实验室,南京,210093
国内会议
沈阳
中文
42-43
2006-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）