热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射性质研究
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37eV,激子结合能高达60meV,在短波激光器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具有广泛的应用前景”1”.一维ZnO纳米材料具有高的长径比、良好的物理化学等性能,其合成备受关注.目前,制备一维ZnO纳米材料的方法很多,大多基于V-L-S或V-S机制.本工作在较低温度下利用热氧化Zn纳米晶的方法制备出了一维的ZnO纳米针,并对其显微结构特征、生长机理和场发射性质进行了研究。
ZnO纳米针 显微结构 场发射 热氧化法 宽禁带半导体材料
余雯 刘曰利 潘春旭
武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
国内会议
沈阳
中文
40-41
2006-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)