单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500 ℃、5 h,600 ℃、30 min,650 ℃、5 min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求。
耐熔金属硅化物 互连工艺 单片集成 铁电薄膜 集成电路 微传感器 CMOS工艺
胡滨 阮爱武 李平 翟亚红 蔡道林
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
国内会议
上海
中文
36-40
2006-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）