聚吡咯的化学氧化合成与导电性能研究

摘要：

早在1916 年，有吡咯黑之称的聚吡咯粉末就已合成出来。但直到1979 年，A. F.Diaz 等在乙腈电解液中制备出电导率高达100S/cm 的稳定聚吡咯膜，导电聚吡咯才受到广泛关注。聚吡咯是一种典型的导电高分子，具有较好的空气稳定性，较高的导电性、环境无毒性和可逆的氧化还原特性，在微电子、光学、电化学、生物技术等领域有着诱人的应用前景，因而受到格外重视。本文对聚吡咯的化学氧化合成与导电性能进行了研究.

关键词： 化学氧化聚合 聚吡咯 磺酸系掺杂剂 导电性能

作者: 安颢瑗 王立新 任丽

作者单位: 河北工业大学高分子材料科学与工程研究所，天津 300130 河北工业大学高分子材料科学与工程研究所，天津 300130;中国环境管理干部学院，秦皇岛 066004

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005年全国高分子学术论文报告会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2005-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）