OEIC用HBT材料的MOCVD 生长技术研究
在550℃的低温下，利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）材料结构。通过低温生长提高了HBT 基区p 型掺杂浓度，达到2×1019 cm-3；同时结合采用生长中止的方法抑制了基区Zn 扩散。利用改变V/III比的方型掺杂入效率下降，n 型低的问题。对法解决了低温下n 源SiH4 掺浓度降生长的材料结构分别进行了X 射线双晶衍射，电化学CV和二次离子质谱（SIMS）测试，结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。
异质结双极晶体管 有机化学气相外延 铟镓砷 磷化铟 半导体材料
江李 林涛 韦欣 王国宏 张广泽 马骁宇 李献杰
中国科学院半导体研究所工程中心 河北半导体研究所,石家庄,050051
国内会议
杭州
中文
2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）