现代光刻工艺中的分辨率增强技术

摘要：

本文介绍当前最前沿的几种分辨率增强技术的基本原理及开发应用的现状，如离轴照明，光学邻近效应校正，辅助图形和相移掩模。这些方法连同先进的光刻胶材料一起使光刻技术的分辨率接近到理论的瑞利分辨极限(即k1=0.25)，成为现代光刻工艺中不可或缺的组成部分。

关键词： 光刻工艺 分辨率增强 离轴照明 辅助图形 相移掩模

作者: GAO Weimin

作者单位: Optical Lithography Department,Silicon Process and Device Technology Division,IMEC,Address:Kapeldreef 75,B-3001 Leuven,Belgium.

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）