立方氮化硼薄膜的制备及其光学应用展望
我们用自偏压辅助的射频磁控溅射在硅基片上生长氮化硼薄膜，用傅立叶变换红外光谱和俄歇电子能谱测定薄膜中立方结构的含量以及氮硼的组分比。我们分别研究了工作气体中氮气的含量、基片的温度和基片的偏压对立方结构生长的影响。实验结果显示：薄膜组分是否达到氮硼比为1的化学配比条件是立方结构能否生长的关键；通过选择工作气体中合适的氮气含量，立方结构的生长在基片不加温时也能实现；室温条件下适合立方氮化硼生长的基片偏压范围要比在500℃时窄很多。另外我们还对立方氮化硼薄膜的光学应用作了展望。
立方氮化硼薄膜 傅立叶变换红外光谱 俄歇电子能谱 光学应用
乐永康
上海复旦大学物理系,200433
国内会议
杭州
中文
2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）