用一种新方法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶
本文采用一种新的晶体生长方法-熔体外延，在液相外延系统中，在（100）InAs衬底上生长出了室温截止波长11μm的InAsSb单晶。这是国内第一次生长出波长10μm以上的InAsSb材料，从而填补了我国长波红外InAsSb材料的研制空白。熔体外延具有创新的生长工艺，不同于液相外延等常规的晶体生长方法。傅立叶变换红外透过光谱证明InAsSb材料的室温截止波长超过10μm。X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构，且与InAs衬底取向一致，均为（100）方向，此暗示外延层为单晶。霍尔测量的电学指标如下：InAsSb的295K电子迁移率为4.75 x 104cm2/Vs，载流子浓度为3.61 x 1016 cm-3；77K电子迁移率为2.86 x 104cm2/Vs, 载流子浓度为1.50 x 1016 cm-3, 显示了研制新型探测器的良好前景。
长波红外材料 熔体外延 晶体生长 载流子浓度
高玉竹 龚秀英 方维政 徐非凡 戴宁
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海市,200083
国内会议
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2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）