InP基量子阱电吸收光调制器的设计与工艺实验

摘要：

本文概述了量子阱电吸收光调制器设计的整个过程，从量子阱材料设计，到器件的光波导设计和微波特性设计，并给出了使用剥离法、湿法刻蚀技术制作InP 基量子阱电吸收调制器的初步实验结果。InP 基窄带隙量子阱材料设计相对能隙较大的GaAs 量子阱材料必须考虑能带耦合效应，材料设计、光波导设计和微波特性设计是相互影响的。

关键词： 量子阱 磷化铟 电吸收 光调制器 微波特性

作者: 王明华 周剑英 李锡华 周小平 江晓清

作者单位: 浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）