半导体技术辅助实现从纳秒到飞秒脉冲激光

摘要：

本文利用半导体技术在脉冲激光器的研制方面做了一些工作。利用离子注入GaAs 实现闪光灯泵浦Nd: YAG 激光器被动调Q, 脉冲宽度为62 ns。利用1 微米半导体可饱和吸收镜实现固体激光器被动锁模，最短脉冲宽度为4.35 ps，利用800 nm 布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模，脉冲宽度为37 fs。

关键词： 半导体可饱和吸收镜 被动调Q 被动锁模 脉冲激光器

作者: 王勇刚 张志刚 马骁宇 宋宴蓉

作者单位: 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300072;中国科学院半导体研究所,北京,100083;北京工业大学数理学院,北京,100022 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300072 中国科学院半导体研究所,北京,100083 北京工业大学数理学院,北京,100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）