电沉积法制备光电薄膜材料SnS的工艺研究

摘要：

用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响，得出制备SnS薄膜的比较理想的工艺条件为：pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5, J=3.0mA·cm-2,t=1.5h.。制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌，用X射线衍射分析了其物相结构，表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一，在200nm~1000nm之间。

关键词： 电沉积 电流密度 正交结构 多晶薄膜

作者: 程树英 钟南保 黄赐昌 陈岩清 陈国南

作者单位: 福州大学化学系,福建福州350002;福州大学电子科学与应用物理系,福建福州350002 福州大学电子科学与应用物理系,福建福州350002 福州大学化学系,福建福州350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）