基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱

摘要：

本文介绍了利用反射式太赫兹（THz）辐射装置产生太赫兹波段电磁辐射的产生与探测系统，给出了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱．通过快速傅立叶变换(FFT)，测得的THz 时域光谱得到了其相应的频域光谱，从而对不同半导体的THz 发射性质进行了比较．结果表明，未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体有更高效的THz发射本领。

关键词： 半导体 电光取样 发射光谱 太赫兹 电磁辐射

作者: 赵国忠 张振伟 崔伟丽 钟华 张存林 杨国桢 R. N. Schouten P. C. M. Planken

作者单位: 首都师范大学物理系,北京100037 伦斯勒理工大学THz研究中心,纽约,美国 首都师范大学物理系,北京100037;中国科学院物理研究所,北京100080 代尔夫特理工大学THz成像组,代尔夫特,荷兰

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）