HCl/HF/CrO3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀—应用于楔形结构的制备

摘要：

本文利用动态掩膜湿法腐蚀技术，首次研究了 HCl/HF/CrO3 溶液对与 InP 衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy (y=0, 0.2, 0.4, 0.6)材料的腐蚀特性。对于 HCl(36wt﹪)/HF(40wt﹪)/CrO3(10wt﹪)的体积比为 x：0.5：1 的溶液，随着 x 由 0 增加到 1.25，相应的腐蚀液对 In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由 42.4 降到 1.4；通过调节腐蚀液的选择性，在 In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从 1.35°到 35.9°的各种楔形结构。

关键词： 动态掩膜湿法腐蚀 选择性腐蚀 化学湿法腐蚀 楔形结构 InGaAsP

作者: 黄辉 王兴妍 任晓敏 王琦 黄永清 高俊华 马晓宇

作者单位: 北京邮电大学,66＃,北京,100876 中科院半导体所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光子学大会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）