组分不同靶材L-MBE生长MgZnO薄膜的特性研究

摘要：

对Mg 含量不同的两种靶材，利用激光分子束外延设备生长了相应的MgZnO 薄膜。透过率曲线测试显示生长的样品出现两个光学吸收边, 这可能是因为出现了混合相。透过率和光致发光谱结果显示，随着Mg组分的升高，MgZnO 吸收边和紫外带边发射峰发生蓝移，表明Mg 的掺入增加了MgZnO 的禁带宽度。观察到当Mg 含量较低时，MgZnO 晶体薄膜的光致发光谱缺陷峰强度很弱，但是随着靶材中Mg 含量的升高，MgZnO 晶体薄膜的带边峰与缺陷峰的强度之比有所下降，透过率曲线坡度也变得非常缓，并对这一现象进行了解释。

关键词： MgZnO薄膜 激光分子束外延 光致发光 透过率

作者: 徐庆安 张景文 杨晓东 贺永宁 王洪波 张伟风 侯洵

作者单位: 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049；中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049 河南大学物理与信息光电子学院,河南开封,475000 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049；中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;河南大学物理与信息光电子学院,河南开封,475000

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）