能带补偿对a-Si:H/c-Si异质结太阳电池性能的影响
利用微电子和光子结构分析软件(AMPS)模拟了不同异质结能带补偿条件下a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池的光电特性。模拟结果表明在价带补偿占优势的情况下,a-Si:H/c-Si 异质结在不同偏压范围内异质结能带特性不同,造成导电机制随偏压发生变化,从而使太阳电池的光照J-V 曲线扭曲,填充因子下降。
数值模拟 太阳电池 异质结 导电机制 能带补偿
赵亮 周之斌 崔容强
上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240
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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)