纳米硅薄膜光学参数及其P-I-N结构渐变带隙太阳电池的模拟研究

摘要：

采用PECVD 法沉积制得nc-Si:H 薄膜，用Nicolet Nexus 870傅立叶透射谱仪测量了它的透射谱，通过计算得到了样品的吸收谱，采用线性外推法得到了样品的光学带隙。引用该实验的数据，运用AMPS软件，对I层渐变带隙太阳电池进行了模拟。模拟结果说明，当I层厚度在500nm的时候，电池效率eff有最大值；渐变带隙的nc-Si:H薄膜电池具有高光电转化效率，达到了22.134﹪。

关键词： 渐变带隙 太阳电池 计算机模拟 纳米薄膜

作者: 于化丛 何宇亮 崔容强 顾江敏 周之斌 杨宏 王鹤 孟凡英 赵亮 彭华

作者单位: 上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240 江苏威孚纳米科技发展有限公司,无锡,214028 西安交通大学光电子系太阳能研究所,西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）