MOCVD制备非晶硅薄膜太阳电池的氧化锌背电极的研究

摘要：

利用LP-MOCVD 生长技术,采用Zn(C2H5)2 作Zn 源和H2O 作氧源,使用硼烷为掺杂气体，制备出了光电特性稳定的较低电阻率、高透过率的氧化锌薄膜。在薄膜面积10cm×10cm 范围内，厚度为5500. 时，方块电阻为40Ω，透过率>85﹪，迁移率为8.56cm2/Vs。应用于非晶硅电池背反射电极后，显著提高了电池的短路电流，从而提高了电池效率。

关键词： 氧化锌 硼烷掺杂 背电极 太阳电池 非晶硅薄膜

作者: 徐步衡 薛俊明 刘金彪 赵颖 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学,天津大学）

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）