氢稀释非晶硅太阳电池的研究
利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了氢稀释对非晶硅太阳电池开路电压和稳定性的影响。发现电池的开路电压在非晶/微晶过渡区产生突变。在150℃低温下,在过渡区靠近非晶区附近得到单结非晶硅电池的开路电压为0.943V。经过600 小时光照衰退后,单结非晶硅太阳电池衰退率在10%以内。
硅烷稀释度 非晶硅太阳电池 开路电压 化学气相沉积
任慧志 管智赟 孙建 王岩 薛俊明 侯国付 张德坤 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室
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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)