Shower电极对硅薄膜材料生长的影响

摘要：

在制备硅薄膜材料的PECVD 系统中，分别采用普通平行板电极和shower 电极，于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光电性能以及微结构的影响。研究发现采用shower 电极使薄膜（400-500nm）均匀性明显改善，在20×20cm 内不均匀性从±12.6﹪下降到±2.1％。而且shower 电极可大大提高硅烷的利用率，因而在相同气体流量下，生长微晶硅材料需要更高的功率密度。文中对实验结果进行了讨论。

关键词： 硅薄膜 薄膜材料 电极结构 薄膜生长

作者: 郭群超 侯国付 孙建 耿新华 任慧志 薛俊明 韩建超

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室,天津,300071 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）