衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究
本文采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收(FTIR)对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明:随着衬底温度的升高,材料的微结构因子(R)逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加;同高衬底温度相比,低温(170℃)制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好。
VHF-PECVD 微晶硅薄膜 傅立叶变换红外吸收 衬底温度 薄膜结构
张晓丹 熊绍珍 赵颖 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 周子彬 侯国付 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071
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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)