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OVC在CIGS薄膜太阳电池中的作用

本论文对OVC薄膜材料的特性进行了概述。阐述了OVC薄膜材料的缺陷,这些缺陷是有序的,只能在一定的晶向、晶面上产生;光电特性:高阻、低载流子浓度,禁带宽度一般为1.3eV;晶相结构:具有(002)、(110)、(202)、(114)等特征峰。同时阐述了在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC的意义及其厚度对电池性能的影响。OVC薄膜载流子浓度低,需要用Cd、Mg、Zn等Ⅱ族元素作为掺杂剂对OVC进行掺杂,改善其性能,阐述了OVC掺Cd的意义。

薄膜材料 薄膜太阳电池 光电特性 晶相结构

薛玉明 孙云 朴英美 刘维一 何青

南开大学光电子所,天津300071

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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)