InP/GaP异质界面电特性研究及其计算机模拟
InP在太阳电池、光探测器、HBT等器件上有重要应用, 本文利用软件ADEPT对晶格失配达8﹪的p-InP/n-GaP系统进行模拟,并取得相关性能参数,寻求一种使得由于使用晶格不匹配的衬底时在外延晶体中所产生的缺陷对器件的性能的影响较小的方法,为在以Si为衬底上外延InP器件提供理论依据。
异质界面 电特性 计算机模拟 外延晶体 晶格
钱洪强 赵斐 李果华
江南大学理学院光信息科学与技术系,江苏,无锡214063
国内会议
深圳
中文
2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)