会议专题

3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物敏化纳米结构TiO2的光电化学研究

本文用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极的光电转换性质。结果表明,CTCMT 膜为p-型半导体,禁带宽度为2.36eV,价带位置为-5.52eV。在ITO/TiO2/ CTCMT 复合膜电极中存在p-n 异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离。CTCMT 膜修饰ITO/TiO2 电极可使光电流增强,光电流起始波长红移至>600nm,使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善。

复合膜电极 光电化学 导电聚合物 纳米结构 3-甲基噻吩 光电转换

郝彦忠 武文俊 康志敏

河北科技大学理学院;河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018 河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018 河北科技大学理学院

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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)