开口隔离层上多晶硅薄膜制备

摘要：

在SSP 硅带衬底上制备开口SiO2 隔离层，在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层；然后以ZMR 将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶，制备了SSP 隔离层上多晶硅薄膜，并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明：ZMR 对籽晶层的区融、结晶效果比较理想，晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽；经过晶硅薄膜沉积后，开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住；制备的电池的光特性参数Voc、Isc 、FF 都比较低，电池的最高转换效率为3.83﹪；指出了改进的工艺措施。

关键词： 多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 薄膜沉积

作者: 梁宗存 柳锡运 沈辉

作者单位: 中国科学院广州能源研究所,广州510640 中山大学,广州510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）