SOI横向功率器件耐压结构的研究

摘要：

SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中，而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对 SOI 横向功率器件的击穿电压进行了分析，介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构，较为详细的分析了 RESURF 原理的应用。

关键词： SOI技术 横向功率器件 耐压结构

作者: 张保华 刘文清 陈军宁 吴秀龙

作者单位: 安徽大学电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;中科院安徽光机所,安徽,合肥,230031 中科院安徽光机所,安徽,合肥,230031 安徽大学电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光子学大会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）