量子阱半导体激光器中的g-r噪声

摘要：

测量了50 余只980nm InGaAsP/InGaAs/GaAlAs 双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现，在小注入条件下，有的器件表现出很明显的g-r 噪声，但随着注入电流的增大，g-r 噪声又消失。本文根据耗尽区内g-r 噪声的形成机理，很好地解释了这一新的物理现象。

关键词： 半导体激光器 量子阱 g-r噪声 低频噪声 注入电流

作者: 胡贵军 李靖 孙雅东 石英学 石家纬

作者单位: 吉林大学通信工程学院光通信系,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130023

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）