高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器的电导数特性
通常的DH 半导体激光器，它的p-n结、非常靠近有源区或在有源区内。在器件的老化过程中，器件的暗点缺陷（DSD）和暗线缺陷(DLD)会不断增长，并向有源区移动，造成有源区中的非辐射复合中心增多，引起器件的退化，表现为器件的阈值电流变大，输出功率降低，效率下降等。设计了一种将p-n 结和有源层分开的新结构的激光器，发射波长为808nm 的高功率AlGaAs/GaAs 单量子阱远异质结（SQW-RJH）激光器。制备了p型下波导层厚度分别为0.1μm和0.3μm的器件，对器件进行了特性测试及老化实验。与通常的激光器比，器件的阈值电流和导通电压偏大，并且，0.3μm的器件比0.1μm的器件的阈值电流大，导通电压高。
远异质结 远结激光器 单量子阱 阈值电流 半导体激光器 AlGaAs GaAs
张素梅 石家纬 齐丽云
吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130023
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2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）