用标准CMOS工艺制备的硅基发光器件

摘要：

本文用0.6μm 的标准CMOS 工艺设计和制备了硅光发射器件，该器件工作在硅p-n 结的反向击穿状态，击穿电压0.88V，室温下发射可见光，光谱测量表明发光波长介于500-700nm 之间，在580nm 有一个明显的峰值。该CMOS 硅发光器件稳定工作在1-6V 电压之间，最大光功率可达7.5μW。在不考虑边发射和所采用测试系统耦合效率较低的情况下，发光器件的电光效率为10-6。该器件的发光功率已经能够满足芯片内部或者芯片间光互连的需要，在下一代集成电路中有望成为电光接口。

关键词： 反偏硅p-n 结 硅基光发射器件 CMOS 发光器件

作者: 陈弘达 孙增辉 毛陆虹 陈永权

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;天津大学电子与信息工程学院,天津300072 天津大学电子与信息工程学院,天津300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）