碳纳米管大电流密度场致发射特性的研究
本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（WMPCVD），借助Fe作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域生长。扫描电子显微镜（SEM）分析结果表面，碳纳米管呈现高速笔直生长，生长速率大于5μm/min.，长度和直径非常均匀，且具有高度的定向性，排列整齐并垂直于基底。透射电子显微镜（TEM）分析结果显示，生长的碳纳米管表现典型的多壁碳纳米管结构特征，并且晶格缺陷非常少。在高真空系统中对生长的碳纳米管阵列进行场致发射特性测试，结果表明生长的碳纳米管发射阵列具有优异的场致发射特性，最大电流密度大于6A/cm2。寿命试验显示生长的碳纳米管阵列场致发射特性具有良好的稳定性。用XPS测试出生长的碳纳米管的功函数为4.56 电子伏特，由此计算出碳纳米管阵列相对应的场增强因子大于1400。本文的研究结果提供了一种简单的可实现大面积和规模化的基于碳纳米管场致发射阴极的制备途径。
碳纳米管 场致发射 微波等离子体 化学气相沉积 发射阴极
陈泽祥 曹贵川 祁康成 林祖伦
电子科技大学光电信息学院,成都,610054
国内会议
四川江油
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2005-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）