1.55um低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

摘要：

利用低温（200C）生长的 GaAs 材料作为吸收层制备了 GaAs 基 1.55um 谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究。无光照 0 偏压下探测器暗电流为 8.0×10-11A，光 电流谱峰值波长 1563nm，响应谱线半宽 4nm, 具有良好的波长选择性。

关键词： GaAs 谐振腔 增强型探测器

作者: 韩勤 彭红玲 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,国家集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光子学大会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）